台积电12寸厂登陆,传落脚南京

台湾即将开放半导体业者到大陆独资设立12吋晶圆厂,台积电也已表达到大陆投资建厂的意愿,据业内人士指出,台积电的大陆建厂地点,应该已经确定落脚南京的浦口经济开发区。而且,根据江苏省南京市上周公告的工程建设招标项目,也已明显写出部份地段是“台积电地块”用地。


根据江苏省南京市工程建设项目招标公告显示,浦口经济开发区三期地块环境整治工程发包,并且标段明称中指出,该工程主要是要将“台积电地块”的场地进行平整等工程。而且,南京市主管机关还一次发出了9个标段项目招标公告,都写明了是“台积电地块”的场地平整工程。


也就是说,虽然台积电尚未正式提出赴大陆投资建厂的申请,但南京市浦口经济开发区已经开始为台积电用地进行整地。业界人士因此推论,台积电的大陆12吋晶圆厂应该已经确定落脚南京浦口。


设备业者透露,台积电7月已派出大陆12吋晶圆厂建厂小组,到大陆各地实地查看及评估建厂最适宜的地点,并听取当地政府的简报,及可能提供的各项优惠。台积电建厂小组去过了北京、西安、上海、南京等地,目前看来选择南京的机率最高。


设备业者评估,台积电若在申请登陆设12吋厂并获许可后,最快2016年中可开始动土兴建,2017年下半年可完工进行试产。台积电2017年将进入10纳米量产,因相关规定要求大陆代工厂必须落后台积电一个技术节点以上,因而大陆的12吋晶圆厂最高将可支持20纳米及16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程,成为大陆制程最先进的逻辑IC晶圆代工厂。


台积电目前在大陆上海松江设有8吋厂,这次急于争取兴建12吋厂,主要是看到2018年新厂进入量产阶段后,IC设计厂主流制程正好全面跨入16纳米FinFET世代。同时,未来3~5年,会有很多采用28奈米以下先进制程的IC设计厂设立,均将成为台积电主要订单来源。


现在大陆地区的12吋厂分布,中芯在上海及北京有2座12吋厂,今年底将跨入28奈米;武汉新芯12吋厂主要投产闪存;英特尔大连12吋厂生产自家处理器及芯片组;SK海力士在无锡12吋厂生产DRAM及NAND Flash;三星在西安12吋厂生产最先进的3D NAND。至于联电厦门合资12吋厂、力晶合肥合资12吋厂,预计2017年进入量产。


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